在(zai)電磁大(da)炒(chao)爐中，IGBT是(shi)一(yi)種(zhong)具有很大份額(e)的損害。當未發現故障原因時(shi)，將對機器進行測試，這將造成(cheng)IGBT損壞。在(zai)電磁(ci)大炒爐(lu)的維護(hu)中，終止不當后，總結了(le)電磁(ci)大炒爐(lu)的八個原(yuan)因。

原因1。當0.3uf電容器失效或(huo)發生(sheng)泄漏，400V電容容量變小時，電磁大炒爐(lu)和LC振蕩電路的頻率將(jiang)較高(gao)

這將導(dao)致IGBT損(sun)壞。當其(qi)他部件(jian)無問題時，更換0.3uf和400V電容器。

原因2。IGBT管勵磁(ci)電(dian)路異(yi)常(chang)，

振蕩(dang)電(dian)路輸出的脈(mo)沖信號(hao)不能直(zhi)接控制IGBT的飽和(he)度，但必須通過激勵脈沖(chong)信號(hao)進行放(fang)大(da)。如果勵磁信號(hao)有問題(ti)，則(ze)將高(gao)電壓加回IGBT管g級，導致(zhi)IGBT瞬時擊穿和損壞(huai)。普(pu)通(tong)驅動(dong)管s8050和s8550。

原因3。同步電路出現(xian)異常。電磁大炒爐中同步(bu)電路的主要功能是確保添(tian)加到(dao)IGBT管G電(dian)平上的開關脈沖(chong)與IGBT管上(shang)的VCE脈沖同(tong)(tong)步。當同(tong)(tong)步電(dian)路(lu)的工作(zuo)方式不同(tong)(tong)時，IGBT管會瞬間發生故障(zhang)。

原因4。18V工(gong)作電壓異常。當電磁大炒爐中出現18V電壓時，IGBT管勵磁回路(lu)、風(feng)扇冷卻系統和LM339工作異(yi)常，通(tong)電時IGBT瞬時(shi)損壞。

原因5。冷卻系(xi)統異常。當(dang)電(dian)磁大炒爐(lu)在(zai)高電流條件下工作時，其(qi)熱值(zhi)也較大。如果散熱系統異常，IGBT將會過(guo)熱和損壞。

原因6。單片機出現異常(chang)(chang)。由(you)于單片機內部工作頻率異常(chang)(chang)，IGBT。

原因7。VCE檢測電路(lu)異常。VCE檢測電磁大(da)炒爐通(tong)過電(dian)(dian)極偏電(dian)(dian)壓(ya)和(he)采樣傳(chuan)遞到IGBT集電器(qi)上的脈沖電壓，獲得de=采樣(yang)電壓。該電壓的信息變化被傳輸到(dao)CPU。CPU監控電壓的變(bian)化(hua)，并做(zuo)出各種(zhong)相應的指令。當VCE檢測(ce)電路發(fa)生(sheng)故障時，VEC脈沖振幅。超過IGBT管的限值，導致IGBT損(sun)壞(huai)。用(yong)戶罐(guan)變(bian)形，或罐(guan)低、不均勻，罐(guan)內產生的渦(wo)流不能均勻加熱變(bian)形鍋，導致罐(guan)溫(wen)(wen)度(du)傳感(gan)器和溫(wen)(wen)度(du)檢測異常(chang)。CPU因無(wu)法檢測到溫度異常信號而繼續加熱，導致IGBT損壞。